SI2367DS-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI2367DS-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI2367DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI2367DS-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI2367DS-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V Verlustleistung (max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Andere Namen SI2367DS-T1-GE3-ND
SI2367DS-T1-GE3TR
SI2367DST1GE3Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 561pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 8V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) SI2367DS-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI2367DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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